第三章半导体中的光现象 >半导体中的折射率 n= 真空光速与材料中的光速之比 v n=√4介电常数、磁导率 要-2mv k=
第三章 半导体中的光现象 ➢ 半导体中的折射率 v c n = n = 真空光速与材料中的光速之比 介电常数、磁导率 n c k ) 2 ( 2 = =
第三章半导体中的光现象 >半导体中的折射率 在相应的 透明波段 表1.7二元化合物半导体材料的带隙和折射率 材料 AIP AlAs AlSb GaP GaAs GaSb InP InAs E2(ev) 2.15 1.6 2.25 1.43 0.68 1.27 0.36 n 3.027 3.178 >3.4 3.452 3.590 3.82 3.45 ≈3.5 1.24 hy=Ex=
➢ 半导体中的折射率 在相应的 透明波段 1.24 h = Eg = 第三章 半导体中的光现象
第三章半导体中的光现象 >半导体中的折射率 Al,Ga1-xAS的折射率同组分的关系 3.6 3.6 B 3.4 电子准费米能级Fc 3.2 3.0 导带 3.5 2.8 △EcB △EA)1 0 元Aw,=2.971 空穴准费米能级 N P2 P 3.4 E=1.38eV △EcB) 价带 FvI△Ev(A) T=297K 3.3 N-(GaAl)As p-GaAs P-(GaAI)As 0.00.10.20.30.40.50.60.70.8 AlAs组分(x)
➢ 半导体中的折射率 第三章 半导体中的光现象
第三章半导体中的光现象 >半导体中的折射率 Al Ga1-xAs的折射率n同光子能量的关系 38 T=297K Po=2x 1018 cm-3 3.7 SI-DOPED HIGH-PURITY GaAs GaAs 3.6 7=0.070.100.50200240.29 038 3.5 3.4 3.3 3.2 12 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 ENERGY,E(eV)
➢ 半导体中的折射率 第三章 半导体中的光现象
第三章半导体中的光现象 >半导体中的折射率 GaxIn1,PyAs1-y的折射率同波长的关系 3.7 3.6 y=0.884 y=0.614 y=1.0 3.5 者 y=0.276 3.4 y=0.0 (InP入 3.3 3.21 3.1十T 0.50.91.31.72.12.5 波长A/μm
➢ 半导体中的折射率 第三章 半导体中的光现象