第五章场效应管放大电路一、简答题1一个JFET的转移特性曲线如图5.1所示，试问：timA0-4-2.VV图5.1(1)它是N沟道还是P沟道JFET?(2)它的夹断电压Vp和饱和漏极电流Ipss各是多少？2.图5.2所示为MosFET的转移特性，请分别说明各属于何沟道？若是增强型，说明它的开启电压V-？；若是耗尽型，说明它的夹断电压Vp=？（图中ip的假定正向为流进漏极)t/mA+ tymA+rymA12-4-20Us/VWV1-2--10UsV(b)(a)(c)图5.2二、选择填空题（将正确答案的序号填于横线上）1.某场效应管的Ipss为6mA、而Ipo自漏极流出、大小为8mA、则该管是a.P沟道结型管b.N沟道结型管C.耗尽型PMOS管d.耗尽型NMOS管e.增强型PMOS管f.增强型NMOS管2在图5.3(a)、(b)、(c)和(d)所示的几个偏置电路中、能够正常工作的是
第五章 场效应管放大电路 一、简答题 1 一个 JFET 的转移特性曲线如图 5.1 所示，试问： 图 5.1 (1)它是 N 沟道还是 P 沟道 JFET? (2)它的夹断电压 VP和饱和漏极电流 IDSS各是多少? 2．图 5.2 所示为 MosFET 的转移特性，请分别说明各属于何沟道？若是增强型，说 明它的开启电压 VT=？；若是耗尽型，说明它的夹断电压 VP＝? (图中 iD 的假定正向为流 进漏极 ) 图 5.2 二、选择填空题(将正确答案的序号填于横线上) 1．某场效应管的 IDSS为 6mA、而 IDQ自漏极流出、大小为 8mA、则该管是 。 a ．P 沟道结型管 b． N 沟道结型管 c．耗尽型 PMOS 管 d．耗尽型 NMOS 管 e．增强型 PMOS 管 f．增强型 NMOS 管 2 在图 5.3(a)、(b)、(c)和(d)所示的几个偏置电路中、能够正常工作的是
+)(b)(c)(a)9+Vins广RC-1丰IUUP+02(d)(e)图5.33.在图5.3(e)所示共源放大电路中，若源极电阻Rs增大，则该电路的漏极电流跨导Gm_：电压放大倍数AvIpo：a增大b减小c.不变d.不定三、填空题1.由增强型NMOS场效应管构成的共源放大电路如图5.4(a)所示，若用示被器观察电路的输人、输出波形、出现图(b)所示的失真波形，说明该电路的静态工作点靠近若无失真时，该电路的电压放大倍数Av=输入电阻R=：输出电阻 Ro=
图 5.3 3．在图 5.3(e)所示共源放大电路中，若源极电阻 Rs 增大，则该电路的漏极电流 IDQ ，跨导 Gm ；电压放大倍数 AV 。 a 增大 b 减小 c．不变 d．不定 三、填空题 1．由增强型 NMOS 场效应管构成的共源放大电路如图 5.4(a)所示，若用示被器观察电 路的输人、输出波形、出现图(b)所示的失真波形，说明该电路的静态工作点靠近 ； 若无失真时，该电路的电压放大倍数 AV＝ ，输入电阻 R= ；输出电 阻 RO=
2元0U2元0(b)(u)+Vee+Yec+15VR+I5VR.t3k2RRh3kn510k1510k20+Un壮7, C,T, C2+C非0U.RizW+HR.C100ks1kaD0(c)(d)0+VnDo+Vion+15V+15VR3k2RuJR.510k2510k0CrCrTCP-Re2R,ztUo100kgR100kgC245.1k52(e)(f)图5.42.在图5.4(c)、(d)、(e)、(f)放大电路个，设TiT2管的β=j00，rbe=2kQ：T3，T4管的gm=5mS。在这四个放大电路小，图（c）为）组态，图(e)组态，图(d)为为组态，图(f)为组态：电压放大倍数（绝对值）最大的是、其值为、最小的是、其值：输人电阻最大的是、其值为，最小的是，其值为：输出电阻最大的是其值为最小的是其值为四、求解题1：已知图5.5所示电路中，N沟道JFET的Ipss=16mA，Vv=-4v、试计算该电路的静
图 5.4 2．在图 5.4(c)、(d)、(e)、(f)放大电路个，设 T1T2 管的β＝]00，rbe＝2kΩ；T3，T4 管 的 gm＝5mS。在这四个放大电路小，图(c)为 组态，图(d)为 组态，图(e) 为 组态，图(f)为 组态；电压放大倍数(绝对值)最大的是 、其值 为 、最小的是 、其值 ；输人电阻最大的是 、其 值为 ，最小的是 ，其值为 ；输出电阻最大的是 ， 其值为 ，最小的是 ，其值为 。 四、求解题 1 已知图 5.5 所示电路中，N 沟道 JFET 的 IDSS＝16mA，VV＝-4v、试计算该电路的静
态工作点利跨导gm+pQ+20VR.3k2ouuVoR.TRIM20.51k图5.52共漏极场效应管放大电路图5.6所示。已知场效应管在工作点处的跨导gm=0.95ms、试画出微变等效电路图，并求Av，RI，和Ro。o+on+12VRa200k2R.Rete12kQ100kQ0图5.63.在图5.7中，场效应管的rds》Rd。(1)写出Av、R、Ro的表达式：(2)若Cs开路，Av、RI、Ro是否变化，加变化，请写出变化后的表达式。D+VonV4图5.7
态工作点利跨导 gm 图 5.5 2共漏极场效应管放大电路图5.6所示。已知场效应管在工作点处的跨导gm＝o．95ms、 试画出微变等效电路图，并求 AV，RI，和 RO。 图 5.6 3．在图 5.7 中，场效应管的 rds》Rd。 (1)写出 AV、RI、RO的表达式； (2)若 C s 开路，AV、RI、RO是否变化，加变化，请写出变化后的表达式。 图 5.7