第四章半导体二极管的物理机制 >平衡pn结的形成及载流子浓度分布 n E的 V,:接触电势差 qV:势垒高度 势垒区 qVD-Ern-EFp(接触前) 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 第四章 半导体二极管的物理机制 ➢ 平衡pn结的形成及载流子浓度分布 p n ECp EVp EFp Eip ECn EVn EFn Ein qVD 势 垒 区 VD:接触电势差 qVD:势垒高度 qVD=EFn-EFp(接触前) qVD EF
第四章半导体二极管的物理机制 >平衡pn结的形成及载流子浓度分布 Evp E Xp (a》电势 6)电势能 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 平衡pn结的形成及载流子浓度分布 第四章 半导体二极管的物理机制
第四章半导体二极管的物理机制 >平衡pn结的形成及载流子浓度分布 尽 d npo&Ppo qVp P n (x) 0 qVp no&Pnov Po 区, p 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 平衡pn结的形成及载流子浓度分布 nn0 & pn0 np0 & pp0 耗 尽 区 第四章 半导体二极管的物理机制
第四章半导体二极管的物理机制 >扩散运动与漂移运动 漂移运动→定向电 载流子的 场牵引 二 迁移率 两大运动 载流子分布不均 浓度梯○ 匀引入浓度梯度 扩散运动→ D:扩散系数 度牵引 非子注入或抽取 引入浓度梯度 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 扩散运动与漂移运动 载流子的 两大运动 扩散运动 漂移运动 定向电 场牵引 浓度梯 度牵引 非子注入或抽取 引入浓度梯度 载流子分布不均 匀引入浓度梯度 μ:迁移率 D:扩散系数 第四章 半导体二极管的物理机制
第四章半导体二极管的物理机制 >扩散运动与漂移运动 =On+p=ngin pqup ng'tn pq'tp mn mp 1 0= n J=E=(,+pE=(nqu,pqup)E 电子科技大学光电学院陈德军
电子科技大学光电学院陈德军 ➢ 扩散运动与漂移运动 * 2 * 2 p p n n n p n p m pq m nq nq pq = + = + = + n p n p 1 1 1 1 = + + = J = E =( n + p )E =(nqn + pq p ) E 第四章 半导体二极管的物理机制